中村修二
中村 修二(なかむら しゅうじ、1954年5月22日 - )は、電子工学 電子工学者、博士 工学博士。 発光ダイオード#青色発光ダイオード 青色発光ダイオードや半導体レーザー 青紫色半導体レーザーの製造方法などの発明・開発者として知られる。
アメリカ合衆国のカリフォルニア大学サンタバーバラ校(UCSB)教授(Professor of Materials & ECE, Director of Solid State Lighting & Energy Center)。愛媛大学客員教授。愛媛県西宇和郡瀬戸町 (愛媛県) 瀬戸町(現伊方町)生まれの大洲市出身(小学校時代に転居)。
徳島大学大学院工学研究科修士課程修了。修了時、京セラにも合格していたが、家族の養育の関係から、地元の日亜化学工業に就職。商品開発に携わった。
日亜化学工業社員時代に青色発光ダイオードの開発を社長に直訴し、会社から約3億円の開発費用の使用を許される。 米国・フロリダ大学に1年間留学後、日亜化学工業に戻り約2億円程度するMOCVD装置の改造に取り掛かるが、社長の交代等もあり研究の取り止めを求められた(著書より)。その後、青色発光素子であるGaN(窒化ガリウム)の結晶を作製するツーフローMOCVDを発明した。ツーフローMOCVDは通称404特許と呼ばれ日亜化学工業と特許権譲渡および特許の対価の増額を争った。